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SPTS与CEA-Leti合作研发300mm TSV生产的新工艺
材料来源:半导体科技           录入时间:2011-6-29 18:29:44

SPTSCEA-Leti合作研发300mm TSV生产的新工艺

CEA-LetiSPP工艺技术系统(SPTS)公司一致同意在法国GrenobleCEA-Leti 300mm工厂中开发先进的300mm 3D IC硅通孔TSV工艺。该协议明确了他们在3D TSV 工艺领域的合作,对当前使用的刻蚀和淀积工艺技术进行优化,以将其应用于设计下一代高深宽比的硅通孔TSV中。

上述二公司的合作将要研究新的设备和工艺,来满足对高效益成本比进行通孔填充这种新工艺方法的需求。在一些中通孔(via-middle)的应用中,由于它是在金半接触与后端工序(BEOL)的第一层金属之间来制作通孔,通孔的深宽比可能要超过10:1,这种具有很大深宽比通孔的制作就需要一种不同于当前刻蚀和淀积工艺的新技术。

CEA-Leti公司的CEOLaurent malier先生说:“3D-IC技术对整个微电子产业领域在提高效益成本比上起着一个关键性的作用。3D-IC技术以建立高效益成本比、多功能和高性能的芯片为基础,不仅可应用于移动设备、数据中心、微机电系统(MEMS)器件中,还可用于光学器件中。将Leti公司在进行先进研发上的经验与具有实际生产能力设备制造商的技术专长相结合,双方的合作将会覆盖整个Cu基的TSV工艺技术”。SPTS英国分公司的常务董事和执行副总裁Kevin Crofton先生补充道:“我们SPTS积极参与CEA-LETI公司的联合,合作进行设备和工艺技术的开发”,“我们的刻蚀、物理气相淀积(PVD)和化学气相淀积(CVD)工艺在TSV领域是公认的技术领先者。LetiSPTS公司都清楚,形成一个TSV的优化解决方案的重要性及其价值,双方认为,在集成工艺的流程中,当硅片工艺技术专家与器件专家联合时,他们的工作将是最具效率的”。

双方表示:TSV技术在产业中的地位将会有很快的提升,这是因为3D集成方法使得在堆叠器件间能形成更薄的互连层,能实现更高密度的互连以制造出具有更好电学性能的器件,所有这些优点将导致器件功能性的增加以及效益成本比的提高。

CEA是法国的一个研究技术型的公共机构,它的工作主要涉及以下四个领域:能源、信息技术,医疗健康技术以及国防和安全等。在CEA内部,电子和信息技术实验室(CEA-Leti)主要是通过技术创新和转让的手段来提高公司的竞争力。CEA-Leti把研发的重点放在了微纳技术和与及其相关的应用上。想要了解更多信息,请登录网址www.leti.fr

SPP工艺技术系统公司是于200910月成立的一家公司,它在合并了表面技术系统公司的同时,还收购了Aviza Technology公司的资产。该公司是Sumitomo Precision Products 有限公司全资拥有的子公司,对全球半导体产业和相关市场的先进半导体设备和工艺技术进行设计、制造、销售和支持。想要了解SPTS公司的更多信息,请登录网址www.spp-pts.com


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