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中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微”)于本周 SEMICON West 期间发布面向22纳米及以下芯片生产的第二代300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备 -- Primo AD-RIE™。
中微半导体设备(上海)有限公司于本周 SEMICON West 期间发布面向22纳米及以下芯片生产的第二代300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备 -- Primo AD-RIE™。
麻省理工学院将电子束光刻推进至9纳米      ( 上传日期: 8/7/11  )
麻省理工学院(MIT)的研究人员们宣称已经开发出了一种新技术,能将用于芯片图案蚀刻的高速电子束光刻的分辨率尺度推进到9nm(纳米),远远超出人们此前的预想。
近日,应用材料公司宣布推出Applied Vantage® Vulcan™快速热处理(RTP)系统,推动最先进纳米级晶体管制造的发展。该系统超越了当前的RTP技术,将退火工艺的精确性和控制性提高到了一个...
应用材料推出首款背部加热式Vantage Vulcan RTP快...      ( 上传日期: 30/6/11  )
应用材料公司本周三推出了新款VantageVulcanRTP快速退火设备,这款RTP机型采用了晶圆背面加热技术,可以显著改善RTP处理中晶圆表面芯片核心内部各部分的温度均一性。
高亮度LED关键技术MOCVD进展      ( 上传日期: 29/6/11  )
由于新应用范围激发的驱动, LED 技术快速地进步。用于笔记本电脑、桌上型电脑显示器和大屏幕电视的背光装置是当今高亮度LED的关键应用,为将要制造的大量LED创造需求。除了数量方面之外,这种LED也...
Intel 2017年迈向7nm工艺      ( 上传日期: 29/6/11  )
Intel技术与制造事业部副总裁、元件研究主管Mike Mayberry今天公布了一份半导体工艺路线图,展示了Intel在未来几年的制造工艺规划情况。
实现ArF沉浸双重图形大批量制造的光源工艺进步      ( 上传日期: 29/6/11  )
沉浸双重图形光刻工艺直到下一代光刻工艺达到必要的成熟程度以前,已巩固其作为32纳米以下节点关键工艺的地位。如此一来,需要提高对沉浸双重图形光刻工艺所采用之光源光学性能的严格要求。
实现HBLED的高产量:光刻工艺的技术与成本分析      ( 上传日期: 28/6/11  )
本文要讨论的是,如何利用投影光刻技术来提高套准精度,从而在不引入缺陷的前提下刻蚀出更小的最小特征尺寸,以及为了提高HBLED的线宽控制效果而改善光刻胶图案轮廓的必要性。
先进CMOS晶体管中实现金属栅工艺整合的CMP技术      ( 上传日期: 28/6/11  )
在采用高介电常数k金属栅(HKMG)CMOS晶体管的大批量制造中,新材料的使用会使整个工艺的整合变得更为复杂。采用后形成栅极流程(Gate-last)的高k金属栅(HKMG)工艺需要进行两道新型的CMP工艺,...
随着IC产品制造规模的持续扩大,工艺设备气流输送系统性能的重要性在正日益增加。下一技术代的工艺推动了对气流控制的需求,这正最先进质量流量控制器(MFC)技术所要努力实现的目标。
湿法工艺技术在TSV等比例缩小中的应用      ( 上传日期: 28/6/11  )
硅通孔(TSV)技术具有很大的发展潜力,它能为经济的、高性能的3D封装的提供许多新的发展机会。
IMEC利用CMOS工艺制程GaN MISHEMT      ( 上传日期: 27/6/11  )
IMEC与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术
应用材料公司宣布其成功的Applied Reflexion® GT CMP1系统工艺已经扩展,增加钨薄膜平坦化工艺。该CMP工艺对于制造先进的动态随机存储器(DRAM)、NAND闪存和逻辑器件的晶体管触点和通孔至关...
SRAM制造中FinFET比平面CMOS更具量率优势      ( 上传日期: 27/6/11  )
SRAM制造中FinFET比平面CMOS更具量率优势
Imec在EUV掩模版缺陷评估领域获得两项突破性进展      ( 上传日期: 27/6/11  )
IMEC及其先进光刻项目的部分合作伙伴最新的研究工作显示,与EUV技术相关的供应商在空白掩模版缺陷(printing mask blank defects)检测方面的能力还亟待提高。同时,IMEC 与Zeiss SMS公司合作,实...
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